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    10n60 9.5A/600V場效應管參數PDF中文資料-半導體原廠-KIA MOS管

    信息來源：本站　日期：2018-10-11　

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    10n60場效應管參數
    場效應管10n60產品特征-KIA10N60H

    可易亞設計了KIA10N60H N溝道增強型硅柵功率MOSFET適用于高電壓、高速度的功率開關應用，如高效率的開關電源。電源，有源功率因數校正，電子鎮流器基于半橋式，以消光。

    1、RDS(on)=0.6Ω@VGS=10V

    2、低門電荷（典型的44nC）

    3、快速交換能力

    4、雪崩能量指定值

    5、改進的dv/dt能力

    10n60場效應管參數-KIA10N60H

    產品型號：KIA10N60H

    工作方式：9.5A/600V

    漏源極電壓：600V

    柵源電壓：±30V

    漏電流脈沖：38.0*A

    結溫：+150℃

    貯存溫度：-55℃至150℃

    KIA10N60H標準封裝

    10n60場效應管參數 9.5A/600V

    KIA10N60H電路圖

    10n60場效應管參數 9.5A/600V

    10n60場效應管參數 9.5A/600V

    KIA10N60H產品附件

    以下為KIA10N60H產品PDF格式的產品詳細資料，查看詳情請點擊下圖。

    10n60場效應管參數 9.5A/600V



    聯系方式：鄒先生

    聯系電話：0755-83888366-8022

    手機：18123972950

    QQ：2880195519

    聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


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