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    大功率mos參數表大全與開關電路特性詳解-MOS管原廠自主研發-KIA MOS管

    信息來源:本站 日期:2019-04-16 

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    大功率mos參數表

    功率mos

    文中列出了KIA半導體大功率mos參數表,請查看下表。先了解一下功率mos,功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此,要求同時輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態。一般直接驅動負載,帶載能力要強。


    功率MOSFET是較常使用的一類功率器件。是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安),用于功率輸出級的器件。功率MOSFET可分為增強型和耗盡型,按溝道分又可分為N溝道型和P溝道型。

    大功率mos參數表


    大功率mos參數表

    KIA半導體大功率mos參數表如下:


    Part Number

    IDA

    BVDSSv

    Typical

    RDS(ON)@60%

    ID(Ω)

    MAX

    RDS(ON)@60%

    ID(Ω)

    ciss

    pF

    KNX4360A

    4

    600

    1.9

    2.3

    511

    KIA5N60E

    4.5

    600

    2

    2.5

    780

    KNX4660A

    7

    600

    1

    1.25

    1120

    KIA5N50H

    5

    500

    1.25

    1.5

    525

    KIA840S

    8

    500

    0.7

    0.9

    960

    KIA4750S

    9

    500

    0.7

    0.9

    960

    KNX4850A

    9

    500

    0.7

    0.9

    960

    KNX6450A

    13

    500

    0.4

    0.48

    2149

    KNX6650A

    15

    500

    0.33

    0.45

    2148

    KIA18N50H

    18

    500

    0.25

    0.32

    2500

    KIA20N50H

    20

    500

    0.21

    0.26

    2700

    KIA24N50H

    24

    500

    0.16

    0.2

    3500

    KNX7650A

    25

    500

    0.17

    0.21

    4280

    KNH8150A

    30

    500

    0.15

    0.2

    4150

    KIA10N80H

    10

    800

    0.85

    1.1

    2230

    KNX4760A

    8

    600

    0.85

    1.1

    1250

    KIA10N60H

    9.5

    600

    0.6

    0.73

    1570

    KIA12N60H

    12

    600

    0.53

    0.65

    1850

    KNX7160A

    20

    600

    0.35

    0.45

    2800

    KNX4365A

    4

    650

    2

    2.5

    523

    KIA7N65H

    7

    650

    1.2

    1.4

    1000

    KNX4665B

    7

    650

    1.1

    1.4

    1048

    KNX4665A

    7.5

    650

    1.1

    1.4

    970

    KIA10N65H

    10

    650

    0.65

    0.75

    1650

    KNX6165A

    10

    650

    0.6

    0.9

    1554

    KIA12N65H

    12

    650

    0.63

    0.75

    1850

    KIA6N70H

    5.8

    700

    1.8

    2.3

    650

    KIA7N80H

    7

    800

    1.4

    1.9

    1300

    KIA9N90S

    9

    900

    1.05

    1.4

    2780

    KNL42150A

    2.8

    1500

    6.5

    9

    1500


    大功率MOS管開關電路

    實例應用電路分析


    1、 三星等離子V2屏開關電源PFC部分激勵電路分析;

    如下圖1所示是三星V2屏開關電源,PFC電源部分電原理圖,圖2所示是其等效電路框圖。


    圖1



    大功率mos參數表

    圖2


    圖1所示;是三星V2屏等離子開關電源的PFC激勵部分。從圖中可以看出;這是一個并聯開關電源L1是儲能電感,D10是這個開關電源的整流二極管,Q1、Q2是開關管,為了保證PFC開關電源有足夠的功率輸出,采用了兩只MOS管Q1、Q2并聯應用(圖2所示;是該并聯開關電源等效電路圖,圖中可以看出該并聯開關電源是加在整流橋堆和濾波電容C5之間的),圖中Q3、Q4是灌流激勵管,Q3、Q4的基極輸入開關激勵信號, VCC-S-R是Q3、Q4的VCC供電(22.5V)。


    兩只開關管Q1、Q2的柵極分別有各自的充電限流電阻和放電二極管,R16是Q2的在激烈信號為正半周時的對Q2柵極等效電容充電的限流電阻,D7是Q2在激烈信號為負半周時的Q2柵極等效電容放電的放電二極管,同樣R14、D6則是Q1的充電限流電阻和放電的放電二極管。R17和R18是Q1和Q2的關機柵極電荷泄放電阻。D9是開機瞬間浪涌電流分流二極管。


    大功率MOS管特性

    上述大功率MOS管工作原理中可以看出,MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的,由于Sio2絕緣層的存在,在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在,電壓VGS產生電場從而導致源極-漏極電流的產生。此時的柵極電壓VGS決定了漏極電流的大小,控制柵極電壓VGS的大小就可以控制漏極電流ID的大小。這就可以得出如下結論:


    1) MOS管是一個由改變電壓來控制電流的器件,所以是電壓器件。


    2) MOS管道輸入特性為容性特性,所以輸入阻抗極高。


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