MOS管參數

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MOS管參數大全

信息來源：本站　日期：2017-04-27　

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Mosfet參數意義闡明 Features:

Vds： DS擊穿電壓.當Vgs=0V時，MOS的DS所能承受的最大電壓

Rds(on)：DS的導通電阻.當Vgs=10V時，MOS的DS之間的電阻

Id：最大DS電流.會隨溫度的增加而下降

Vgs: 最大GS電壓.通常為：-20V~+20V

Pd: 最大耗散功率

Tj: 最大作業結溫，通常為150度和175度

Tstg: 最大存儲溫度

Idm: 最大脈沖DS電流.會隨溫度的增加而下降，表現一個抗沖擊才華，跟脈沖時刻也有聯絡

Iar: 雪崩電流

Ear: 重復雪崩擊穿能量

BVdss： DS擊穿電壓 Idss: 豐滿DS電流，uA級的電流 Eas: 單次脈沖雪崩擊穿能量 Igss: GS驅動電流，nA級的電流.

Eas: 單次脈沖雪崩擊穿能量

gfs: 跨導 Qg: G總充電電量

Qgs: GS充電電量

Eas: 單次脈沖雪崩擊穿能量

Qgd: GD充電電量

Td(on): 導通推遲時刻，從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時刻

Tr: 上升時刻，輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時刻

Td(off): 關斷推遲時刻，輸入電壓下降到 90% 開始到 VDS 上升到其關斷電壓時 10% 的時刻

Ciss: 輸入電容，Ciss=Cgd + Cgs.

Tf: 下降時刻，輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時刻

Coss: 輸出電容，Coss=Cds +Cgd. Crss: 反向傳輸電容，Crss=Cgc.

聯系方式：鄒先生

手機：18123972950

QQ：2880195519

聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1

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