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    MOSFET-功率器件中熱阻值的測量分享-KIA MOS管

    信息來源:本站 日期:2022-04-08 

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    MOSFET-功率器件中熱阻值的測量分享-KIA MOS管


    熱阻值是功率器件中主要的參數之一,反映了功率器件的驅動能力。熱阻值的大小與功率器件本身和所在 PCB 板散熱面積有關。因此,本文描述了功率器件的熱阻值的測量方法。


    實驗平臺

    1、某功率器件

    2、電源、示波器、電子負載等


    實驗原理

    熱阻值的單位為℃/W,因此,只需要測量功率器件單位功率下的溫升即可實現熱阻值的測定。而功率的測量,可以通過對功率器件施加特定的負載,并通過 P=UI 即可完成;


    溫升的測定則需要根據功率器件(功率 MOS 管)的體二極管來實現,根據經驗公式,功率器件的溫升與體二極管的電壓滿足:℃=2mV,即體二極管“單位情況”下升高 2mV,功率器件溫升 1℃,因此,需要測量體二極管“單位情況”下的電壓。


    實驗步驟

    1、如圖所示連接電路

    功率器件 熱阻值


    2、設定電子負載為 0.02A,打開電源,測得如下波形

    功率器件 熱阻值


    根據上圖,Drain 和 Source 間,也就是體二極管兩端的電壓 V0 = 537.5mV。


    3、設定電子負載為 2A/0.02A,90%占空比,測得如下波形

    功率器件 熱阻值


    功率器件 熱阻值


    根據上圖,2A 對應的體二極管兩端電壓 V1 = 637.5mV,0.02A 對應的體二極管兩端電壓 V2 = 475mV。


    則△V = |V2-V0| = 62.5mV,對應的功率器件溫升為:

    T = 31.25℃。


    功率器件所驅動的負載功率:

    P = Vcc*I*90% = 0.6375*2*0.9 = 1.1475W


    因此,該功率器件的熱阻值為:

    Tj = T/P = 27.2℃/W


    根據上述步驟完成了功率器件熱阻值的測量。




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